梁庆瑞
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胡小波
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陈秀芳
,
徐现刚
,
宗艳民
,
王希杰
人工晶体学报
研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.
关键词:
碳化硅
,
化学机械抛光
,
高锰酸钾
,
粗糙度
,
去除率
